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La Universidad de Granada reúne a expertos mundiales en tecnologías avanzadas de semiconductores durante las conferencias internacionales EuroSOI-ULIS 2026 e IEEE IRDS/ISRDS, del 20 al 22 de mayo. El vicerrector de Investigación y Transferencia, Enrique Herrera, presidirá la inauguración oficial, que será el miércoles 20 de mayo, a las 8:45 h, en el salón de actos de la Facultad de Medicina de la Universidad de Granada.
La ciudad se convierte así en uno de los principales centros internacionales de debate sobre el futuro de la microelectrónica y los semiconductores. Durante una semana, investigadores, ingenieros, representantes de la industria tecnológica y expertos procedentes de universidades, centros de investigación y empresas líderes de todo el mundo se reunirán para analizar los avances que definirán la próxima generación de tecnologías electrónicas.
Las conferencias abordarán algunos de los retos científicos y tecnológicos más relevantes de la actualidad, incluyendo hardware para inteligencia artificial y computación cuántica, tecnologías Silicio-sobre-Aislante, SOI, integración heterogénea, materiales bidimensionales, computación neuromórfica, dispositivos cuánticos, electrónica de RF, sensores avanzados y tecnologías Beyond-CMOS.
EuroSOI-ULIS es una de las conferencias europeas de referencia en el ámbito de los dispositivos semiconductores avanzados y reúne periódicamente a la comunidad científica especializada en microelectrónica y tecnologías emergentes.
Además, la edición de 2026 tendrá un carácter estratégico, gracias a la celebración en Granada de los eventos IRDS e ISRDS, considerados uno de los principales foros internacionales para definir las futuras hojas de ruta tecnológicas de la industria mundial de semiconductores.
El programa contará con conferenciantes internacionales de primer nivel y sesiones científicas dedicadas a las tecnologías que marcarán la evolución de la electrónica durante los próximos años. Entre las actividades especiales previstas, destaca una sesión conmemorativa dedicada al centenario del transistor de efecto de campo (Field Effect Transistor, FET), que ha revolucionado la electrónica moderna y constituye la base de prácticamente todos los circuitos integrados actuales.
El profesor Francisco Gámiz, presidente de la conferencia y catedrático de la Universidad de Granada, destaca que "la celebración conjunta de EuroSOI-ULIS e IRDS sitúa a Granada en el centro internacional del debate científico y tecnológico sobre el futuro de los semiconductores y la computación avanzada".
La organización espera la participación de investigadores y especialistas procedentes de Europa, Estados Unidos y Asia, reforzando el posicionamiento internacional de Granada y de la Universidad de Granada en el ámbito de la microelectrónica y las tecnologías estratégicas.
En un contexto global en el que los semiconductores se han convertido en una tecnología crítica para la inteligencia artificial, las telecomunicaciones, la automoción, la defensa y la transición digital, este encuentro internacional contribuirá a fortalecer la colaboración científica y tecnológica entre instituciones académicas, centros de investigación e industria.
El evento cuenta con el patrocinio de la Secretaría de Estado de Telecomunicaciones e Infraestructuras Digitales del Ministerio para la Transición Digital y de la Función Pública, a través de la Cátedra +QCHIP.
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